C的设计与研究。希望早日能用上自产地IC.

　　硅。地球上最多的元素之一，因为处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微地晶体管。是最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼。盐酸氯化。并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一粒的硅晶体晶种。然后将其慢慢拉出。以形成圆柱状地单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成。此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨。抛光，切片后，即成为条成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”，整个半导体工业的“粮食”。在半导体行业来称为前道工序。无许是CPU，未来的手机、DVD的芯片。还是一些消费类的电子。比如彩电、音响都是在这个基础上制造的。

　　国内也早有这个技术。在尤年代以前。跟国外的差距还不是很大。在全国人民大办半导体工业的时候。那个老太太造半导体这个“大卫星”新闻，是那个年代报纸上吹嘘过的。

　　但是在高新技术这块。就像是短跑比赛。两个人在起同时起跑，如果你想半途中想停下来喘口气，眨眼间，别人已轻到达了终。晶圆直径越大，表示技术等级越高。国内还止步于3英寸的技术，李思明曾经工作过的那家国营厂就是如此。而国外已经在使用5英寸技术、开发6英寸技术。因为晶圆越大。那么可以用来制造条成电路的晶片就越多，成本就越低，老板们都喜欢。

　　集成电路就是在一块硅片上利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术。在一块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件。并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路。制成半导体单片集成电路。

　　原理很清楚，硅也到处都有。毫不起眼的沙子也能生产昂贵CPU的原料。正体现出知识的价值。但是工艺技术上却是一个极为复杂的过程。比如CPU，在制造工艺相同时。晶体管越多处理器内核尺寸就越大。一块硅晶圆所能生产的芯片的数量就越少，每颗CPU的成本就要随之提高。反之。如果更先进的制造工艺。与晶圆尺寸相反。能蚀刻的尺寸越，一块晶圆所能生产的芯片就越多，成本也就随之降低。比如1978年英特尔8086的蚀刻尺寸为3um，1985年的时候为每隔两三年，技术会提高一个等

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